高亮度LED主要分為紅外光的GaAs體系和AlGaAs體系，紅、橙、黃、綠色的AlGaInP體系，綠色和藍色的InGaN體系，以及紫外光的GaN和AlGaN體系。其時InGaN體系的藍光光效現已較高，再接洽四元系的紅黃光，現已開端遍及地運用于照明、背光、展現、交通指示燈等領域。紫外光LED有著寬闊的阛阓運用遠景，半導體紫外光源在照明、滅菌、醫療、打印、生化檢測、高密度的信息貯存和保密通訊等領域具有嚴厲運用代價。紅外光LED主要包羅峰值波長從850nm到940nm的紅外LED，遍及運用于遙控器、驅動器、電腦鼠標、傳感器、寧靜設置裝備部署和展現器背光等領域，紅外LED必要連續增長的驅動力主要泉源于家用電器、寧靜體系和無線通訊產品等。

　　白光運用是藍光LED芯片的緊張阛阓，也是最為緊張的開展偏向，其選用藍光芯片加YAG黃色熒光粉然后組成白光光源。其時，天下LED大廠在大功率藍光芯片方面有著較為明顯的上風，而海內LED芯片公司其時主要是在中小功率藍光芯片方面有較大的開展，但由于前幾年的過分出資致使了產能過剩，致使中小功率藍光芯片阛阓出現了較為嚴厲的“代價戰”。關于藍光LED芯片而言，主要的開展偏向為硅基LED防爆燈炷片、高壓LED芯片、倒裝LED芯片等。關于中小功率LED芯片阛阓而言，其時干流阛阓的趨向為0.2-0.5W阛阓，封裝要領包羅2835、5630以及COB封裝等。關于別的細分領域，如筆挺結構的芯片，封裝后可以大概運用于指向性照明運用，如手電、礦燈、閃光燈、射燈等燈具產品中。

　　硅襯底LED芯片漸受器重

　　其時阛阓上干流的藍光芯片通常都是在藍寶石襯底上發展，其間以日即日亞公司為代表；別的另有一種藍光芯片是在碳化硅襯底上發展，以美國科銳公司為代表。

　　這些年硅襯底上發展LED防爆燈的藍光LED芯片越來越遭到各人的器重。硅襯底由于可以大概選用IC廠的主動生產線，相比簡樸選用其時IC工場的6寸和8寸線的老練技能，再加上大標準硅襯藍資本相對低價，因此未來硅襯底LED芯片的資本預期會大幅度降落，也可推進半導體照明的疾速浸透。